总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。负载是否具有电阻性，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以创建定制的 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，如果负载是感性的，此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、特别是对于高速开关应用。